现代新科技离不开芯片，制造芯片全靠誉为“工业母机中的明珠”的光刻机，将电路图案投影到硅晶圆，刻出只有发丝千分之一的电路，线路精度决定了芯片的性能。
国际半导体设备材料协会(SEMI)称，去年全球半导体设备市场达1126亿美元，其中光刻设备占24.3%，约273亿美元。这领域长期被荷兰ASML、日本尼康(Nikon)和佳能(Canon)三家所控制，日企在中低端光刻机市场居主导地位，占市场份额78%。
中国是全球最大的芯片消费国，去年进口芯片金额达3514亿美元，超过原油成为第一大进口商品。中国每年需要购买大量光刻设备，仅去年就进口了126台各类光刻机，总值约389亿人民币，还有天价维修费。依赖进口不仅带来经济压力，更有供应链安全隐患。尤其在全球贸易摩擦加剧的背景下，关键设备的自主性显得尤为重要。
今年4月，中国自研的第五代超精密光刻机在上海张江高科技园区下线。这外形酷似巨型金属柜的设备，重83吨，高约4.2米，占地近40平方米，价值7.2亿人民币。之前这类设备全依赖进口，交付期长达2年。如今，中国实现量产，打破日本企业在这领域长达30年的技术垄断，意味着全球高科技产业格局正在发生深刻变革。
早在2002年，中国就启动国家科技“极大规模集成电路制造设备与成套工艺”，攻关光刻机技术。2017年，中国首台国产光刻机问世，分辨率为90纳米，与先进水平差两代。到2023年底，中国已掌握28纳米光刻机的核心技术，并开始小批量生产。
国产的光刻机催生新商业模式。光刻机厂商推出“装备即服务”模式，企业可按使用量付费，降低准入门槛。至今年3月，有36家中小芯片企业用上高端光刻设备。
日本经济产业省今年2月发布《半导体产业竞争力报告》，提到中国光刻机产业的发展将对全球半导体产业格局产生深远影响。日本政府宣布将在未来五年投入1.2万亿日元(约59亿美元)支持本国半导体设备产业发展，应对来自中国的竞争压力。
专家分析，中国光刻机虽然取得了重大突破，但与国际顶尖水平相比，在精度、稳定性和产能方面仍存在差距。特别是最前沿的极紫外(EUV)光刻技术领域，还有很长的路要走。目前只有荷兰ASML一家企掌握EUV光刻机技术，能生产5纳米以下芯片。
面对挑战，中国制定了明确的发展路线。上海微电子于今年3月公布的规划中提出，将在2027年前实现14纳米光刻机的规模化生产，2030年前突破7纳米技术。同时，计划将年产能从目前的28台提升到2027年的85台，满足日益增长的市场需求。
中国科学院上海光学精密机械研究所的林楠研究员今年3月发表论文，介绍其团队使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源，达到国际领先水平。团队还开发出能量转换效率高达3.42%的国产EUV光源。接着，中科院突破20%电光转换效率，哈工大驾驭13.5纳米极紫外光，华为2纳米精度运动台一锤定音——中国以供应链优势和“国家队”协作，打破西方30年的技术垄断；还在成本和体积方面展现后发优势。
ASML首席执行官克里斯托夫•富凯6月上旬受访时说，中国已研发出国产光刻设备。国产全新DUV光刻技术浮出水面，能生产3纳米芯片，美国打压反成催化剂。中科院突破全固态深紫外光源，193纳米波长直接国际主流，将芯片工艺推向3纳米时代。
富凯去年底曾扬言中国还落后10年，但国产技术的迭代速度让巨头们坐不住了。对比ASML的商用准分子激光技术，中科院固态DUV光源的频率达到ASML水平的三分之二（ASML频率8-9kHz），但输出功率仅为ASML的0.7%（ASML功率100-120W）。
ASML依赖氟化氩（ArF）准分子激光，通过高压电场激发氩和氟混合气体，体积庞大且成本高。中科院方案绕过西方的专利壁垒，已验证支持3纳米工艺的可行性。
除了以《瓦森纳协定》严禁向中国企业售卖EUV设备，美国政府还不死不休地施压ASML停止为中国维护DUV系统，用心险恶！荷兰政府考虑到买卖合约未表同意，ASML称保留机器控制权以防敏感信息泄露。可以预料，ASML日后的前途必多坎坷！
中国半导体行业协会透露，去年中国集成电路销售额12538亿元，同比增长20.7%。其中，晶圆厂产能增长16.5%，是全球增速最快的地区。去年，全国高校新增半导体装备专业21个，招生规模约4300人。多所高校与企业合作建立实习基地，培养技术专家。中科院大学设立了“光刻技术研究院”，集中培养光刻机研发的高端人才。
媒体于6月16日报道，采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术的国产EUV光刻原型机在东莞启动测试，将于今年第三季度试产，明年实现量产。华为等企业加速自研，逐步替代Synopsys等美国工具。国产光刻设备敢于立马亮剑，震慑了西方霸权！
林越
